Descrizione del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu
Il target di sputtering 4N HfO2 con una piastra di supporto in rame è un materiale critico e ad alte prestazioni-per la deposizione di film sottili-, ampiamente utilizzato in campi quali l'ottica, i semiconduttori e la microelettronica. È costituito principalmente da un corpo bersaglio di biossido di afnio (HfO₂)-che vanta una purezza del 99,99%-legato tramite un processo specializzato a una piastra di supporto in rame ad elevata purezza. Questo target 4N HfO2 rappresenta un materiale di rivestimento di fascia alta-caratterizzato dal suo livello avanzato di integrazione tecnologica. Combinando ceramica di biossido di afnio di purezza ultra-elevata--che funge da materiale funzionale-con rame di elevata-purezza-che funge da supporto strutturale-soddisfa con successo le rigorose esigenze dei moderni processi di rivestimento di precisione in termini di purezza, prestazioni, stabilità e affidabilità delle fonti di sputtering. Inoltre, le sue specifiche personalizzabili ne migliorano l'adattabilità a diversi scenari applicativi e piattaforme di apparecchiature, rendendolo un materiale fondamentale essenziale per guidare i progressi tecnologici in settori come l'ottica e i semiconduttori.
Applicazioni del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu
Rivestimenti ottici: utilizzati per fabbricare dispositivi ottici ad alte-prestazioni, inclusi rivestimenti anti-riflesso, strati dielettrici ad alto-indice di rifrazione-, filtri ottici, rivestimenti di componenti laser e pellicole protettive resistenti ai-danni-del laser.
Semiconduttori e microelettronica: funge da materiale dielettrico ad alto-dielettrico-gate costante per dispositivi semiconduttori avanzati; utilizzato anche per la deposizione di film sottili funzionali in sistemi micro-elettro-meccanici (MEMS) e altri componenti elettronici.
Altri campi-di fascia alta: trova applicazioni significative anche nelle comunicazioni in fibra-ottica, nei dispositivi energetici e negli esperimenti di ricerca scientifica.
Specifiche del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu
Composizione: HfO₂
Purezza: maggiore o uguale al 99,9%
Forma: dischi o su misura-
Diametro: 2", 3", 4", 5", 6" o personalizzato
Spessore: 0,25", 0,125" o personalizzato
Tipo di legame: In
Controllo qualità e test del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu
Domande frequenti per target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu
Sei un fabbrica o aproduttore?
R: Sì, siamo un target 4N HfO2 con una fabbrica di piastre posteriori in Cu, ma generalmente utilizziamo la nostra società commerciale per gestire le attività all'estero. Sarà più conveniente ricevere la rimessa e organizzare la spedizione.
Qual è il metodo di consegna?
R: Generalmente, inviamo un target 4N HfO2 con una piastra posteriore in Cu tramite UPS, DHL o FedEx. Inoltre, possiamo inviare via mare al porto marittimo o via aerea all'aeroporto più vicino.
Perché il tuo target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu è così conveniente-?
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Effettui controlli di qualità a campioneprodotti?
A: Ispezione completa al 100% di sicuro. Tutti i target 4N HfO2 non qualificati con piastra posteriore in Cu vengono scartati.
Come garantisci i tempi di consegna?
R: Dalla preparazione del materiale alla lavorazione e infine a un'ispezione completa. Ogni fase della produzione è rigorosamente monitorata e controllata per garantire tempi di consegna accurati.
Qual è il MOQ del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu?
R: Dipende dalla quantità di target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu; generalmente, nessun limite MOQ.
Come pagarei prodotti?
R: Sarà accettabile un bonifico bancario (T/T).
Qual è il tempo di consegna?
R: Circa 7-20 giorni, che dipende dalla quantità e dalla produzione del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu.
Che tipo di pacchetto è?
R: Generalmente utilizziamo una custodia in cartone o in compensato con materiale protettivo all'interno per garantire la sicurezza del target 4N HfO2 con piastra posteriore in Cu.
Qual è il tempo di consegna?
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