Descrizione di 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%.
Il target HfO2 drogato con Ti al 2% è un precursore di materiale funzionale preparato attraverso precise tecniche di drogaggio a livello atomico-. Fondamentalmente, questo materiale prevede l'introduzione di titanio in una matrice di biossido di afnio in un rapporto molare del 2%, formando una soluzione solida in cui gli ioni Ti⁴⁺ sostituiscono parzialmente gli ioni Hf⁴⁺ nel reticolo cristallino di HfO₂. Questo processo di doping non è semplicemente una semplice miscela fisica; piuttosto, è progettato per modulare attivamente la microstruttura e le proprietà elettroniche del materiale, dotandolo così di funzionalità specifiche che superano quelle dell'HfO₂ puro. La forma fisica del bersaglio di sputtering funge da veicolo fondamentale per la sua applicazione nelle tecnologie avanzate di fabbricazione di film sottili-. Tali obiettivi devono aderire a standard rigorosi di elevata purezza (tipicamente 99,99% o superiore), alta densità e uniformità compositiva. L'elevata purezza è essenziale per evitare che le impurità incontrollate compromettano le prestazioni del film sottile risultante; al contrario, l'elevata densità e l'uniformità garantiscono la stabilità sia della composizione del film che della sua velocità di deposizione durante il processo di sputtering, consentendo così al film sottile di "ereditare" con precisione le caratteristiche progettate del materiale target.
Applicazioni di 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%.
Memoria avanzata a semiconduttore: in particolare nel campo della memoria ad accesso casuale-ferroelettrico (FeRAM). Il drogaggio del titanio aiuta a stabilizzare la fase ortorombica ferroelettrica dell'HfO₂, dotandolo di eccellenti caratteristiche di commutazione ferroelettrica che soddisfano i requisiti per i dispositivi di memoria ad alta-densità e bassa-potenza.
Dielettrici di gate ad alta-dielettrico-costante (alta-κ): nei circuiti integrati, funge da strato dielettrico per i gate dei transistor; sfruttando la sua elevata costante dielettrica, riduce efficacemente lo spessore fisico mantenendo eccellenti prestazioni di isolamento e affidabilità.
Rivestimenti funzionali e film sottili ottici: sfruttando l'elevato indice di rifrazione, l'eccellente stabilità chimica e le proprietà ottiche-che possono essere regolate tramite il drogaggio-viene utilizzato in rivestimenti ottici specializzati o strati protettivi.
Specifiche di 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%.
Dimensioni: diametro 50,8 mm. *3mm t
Tipo di incollaggio: In
Piastra posteriore: Cu
Dimensioni piastra posteriore: 50,8 mm di diametro * 3 mm tk
Controllo di qualità e test di 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%.
Domande frequenti per 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%.
Sei un fabbrica o aproduttore?
R: Sì, siamo una fabbrica 4N HfO2 drogata con 2% Ti Target, ma generalmente utilizziamo la nostra società commerciale per gestire gli affari all'estero. Sarà più conveniente ricevere la rimessa e organizzare la spedizione.
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Qual è il MOQ di 4N HfO2 drogato con target Ti al 2%?
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Qual è il tempo di consegna?
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