Bersaglio di sputtering Ti50Al50

Bersaglio di sputtering Ti50Al50

I target di sputtering Ti50Al50 sono prodotti con tecnologia HIP, ampiamente utilizzati per il rivestimento di utensili e rivestimenti decorativi. Rispetto alla tecnologia di fusione, i target TiAl prodotti con tecnologia HIP hanno una struttura micro-interna più uniforme, una granulometria più piccola e sono adatti a varie macchine per sputtering magnetron e macchine per placcatura ionica.
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Descrizione dei prodotti

 

Forniamo bersagli per sputtering di alta qualità: bersagli per sputtering Ti50Al50, bersagli in ceramica, bersagli in metallo.

I target di sputtering Ti50Al50 sono prodotti con tecnologia HIP, ampiamente utilizzati per il rivestimento di utensili e rivestimenti decorativi. Rispetto alla tecnologia di fusione, i target TiAl prodotti con tecnologia HIP hanno una struttura micro-interna più uniforme, una granulometria più piccola e sono adatti a varie macchine per sputtering magnetron e macchine per placcatura ionica. L'utente finale può ottenere velocità di erosione costanti nonché un rivestimento a film sottile omogeneo e ad alta purezza durante il processo PVD.


Gli utensili rivestiti con pellicole sottili di TiAl hanno velocità di avanzamento più elevate, migliori prestazioni di taglio, maggiore durata utile e possono essere ottenuti senza difficoltà maggiori tassi di asportazione del metallo.

I nostri target di sputtering Ti50Al50 sono prodotti mediante un processo HIP avanzato e un processo di pressatura a caldo sotto vuoto, e comprendono target planari, target ad arco circolare, target cilindrici (realizzati mediante metodo di formatura monolitica), ecc. Presentano caratteristiche di ampio rapporto tra componenti (dal 10at%-90at% per i componenti Al), elevata purezza e densità, grana fine e uniforme e maggiore durata, ecc.

I rapporti tipici dei componenti per i target TiAl includono 33:67at%, 50:50at% e 70:30at%, ecc.

 

Parametri del prodotto

 

Componenti chimici (a%)

Ti33Al67

Ti50Al50

Ti70Al30

Purezza (%)

99.8

99.8

99.8

Densità (g/cm³)

3.29

3.60

3.95

Granulometria (μm)

Inferiore o uguale a 100

Inferiore o uguale a 100

Inferiore o uguale a 100

Conduttività termica (W/mK)

98

70

40

Espansione termica (1/K)

1.9*10-5

1.75*10-5

1.35*10-5

Dimensioni specifiche (mm)

Obiettivi cilindrici:
Formatura monolitica mediante processo HIP
Lunghezza: inferiore o uguale a 2000
Spessore: inferiore o uguale a 15

 

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