Bersaglio in carbonio 4N con piastra posteriore in rame
Bersaglio in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

Bersaglio in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

Il target per sputtering di carbonio ad alta purezza 4N-con piastra posteriore in rame, purezza del 99,99%, garantisce uno sputtering più stabile! La piastra posteriore in rame fornisce una rapida conduttività termica e una forte dissipazione del calore, prevenendo la rottura del bersaglio e creando una pellicola uniforme e delicata. La prima scelta per semiconduttori e rivestimenti ottici, offre rendimento elevato e basso costo, rendendo la produzione più senza preoccupazioni-!
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Descrizione del bersaglio in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

 

I target di sputtering di carbonio 4N con supporto in rame sono target di sputtering di elevata-purezza utilizzati principalmente nella deposizione tramite magnetron sputtering nei processi di deposizione fisica in fase di vapore (PVD). Il loro nucleo è costituito da materiale di carbonio con una purezza del 99,99% (livello 4N), legato a un supporto in rame attraverso un processo di incollaggio per formare una struttura composita. Il target in bianco del carbonio deve raggiungere una purezza del 99,99% (livello 4N), con un controllo rigoroso sul contenuto di impurità metalliche e non-metalliche. Gli obiettivi di alta-qualità puntano a elevata purezza, alta densità, composizione uniforme e grana fine. Il supporto in rame, in genere realizzato in rame di elevata-purezza, fornisce supporto meccanico per il target grezzo e utilizza la sua eccellente conduttività termica durante lo sputtering per contribuire a dissipare il calore dal target, prevenendo il surriscaldamento e il degrado delle prestazioni.

 

Applicazioni del target in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

 

Questi target vengono utilizzati principalmente nelle apparecchiature di sputtering magnetron, inclusi vari sistemi a-target singolo, multi-target e sistemi di sputtering ionico. I film sottili preparati da essi sono ampiamente utilizzati in:

Chip semiconduttori e micro/nanofabbricazione

Solare fotovoltaico

Dispositivi con display-a schermo piatto, come gli LCD-TFT

Rivestimenti speciali e ricerca scientifica

 

Specifiche del target in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

 

Materiale:

Lega Co-Cr

Densità:

2,25 g/cm³

Punto di fusione:

3652 gradi

MOQ:

Nessuna restrizione

Conducibilità termica:

140 W/mK

Superficie:

Luminoso/lucido

Misurare:

diametro 152,4 mm. *5mm t

Origine:

Cina

Pacchetto di trasporto:

Custodia in legno, cartone

OEM:

Disponibile

Standard:

ISO, ASTM, AISI

Campione:

Disponibile

 

Controllo qualità e test del target in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

 

1QC

 

Domande frequenti sul target in carbonio 4N con piastra posteriore in rame

 

Sei un fabbrica o aproduttore?
R: Sì, siamo una fabbrica 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame, ma generalmente utilizziamo la nostra società commerciale per gestire le attività all'estero. Sarà più conveniente ricevere la rimessa e organizzare la spedizione.

Qual è il metodo di consegna?
R: Generalmente, inviamo il 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame tramite UPS, DHL o FedEx. Inoltre, possiamo inviare via mare al porto marittimo o via aerea all'aeroporto più vicino.

Perché il tuo 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame è così conveniente-?
R: Eliminiamo gli intermediari nel processo di produzione end-to-end e otteniamo la materia prima direttamente dalla fonte.

Effettui controlli di qualità a campioneprodotti?
A: Ispezione completa al 100% di sicuro. Tutti i target in carbonio 4N non qualificati con piastre posteriori in rame vengono scartati.

Come garantisci i tempi di consegna?
R: Dalla preparazione del materiale alla lavorazione e infine a un'ispezione completa. Ogni fase della produzione è rigorosamente monitorata e controllata per garantire tempi di consegna accurati.

Qual è il MOQ di 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame?
R: Dipende dalla quantità di 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame; generalmente, nessun limite MOQ.

Come pagarei prodotti?
R: Sarà accettabile un bonifico bancario (T/T).

Qual è il tempo di consegna?
R: Circa 7-20 giorni, a seconda della quantità e della produzione del 4N Carbon Target con piastra posteriore in rame.

Che tipo di pacchetto è?
R: Generalmente utilizziamo una custodia in cartone o in compensato con materiale protettivo all'interno per garantire la sicurezza del target in carbonio 4N con piastra posteriore in rame.

Qual è il tempo di consegna?
R: Dall'ordine effettuato alla ricezione della merce passeranno circa 10-25 giorni.

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